Накопители, HDD, SSD etc.

В Японии демонстрируются контроллеры USB 3.0
Lexagon / 27.07.2009 08:18 / ссылка на материал / версия для печати

По прогнозам компании NEC, в числе первых запустившей производство контроллеров USB 3.0, до конца этого года на рынке появятся компьютеры с поддержкой данного интерфейса. Кабели для подключения устройств с интерфейсом USB 3.0 уже демонстрировались японскими магазинами, а недавно они даже поступили в продажу. Для насыщения инфраструктуры не хватает лишь контроллеров USB 3.0 и периферийных устройств с поддержкой этого интерфейса.

Очередной шаг по продвижению USB 3.0 на рынок сделали японские магазины, выставившие напоказ образцы контроллеров с поддержкой этого интерфейса. Один из образцов имеет исполнение в виде платы расширения с интерфейсом PCI Express x1, предлагающей разместить два порта USB 3.0 на задней панели.



Плата использует четырёхштырьковый разъём Molex для подачи дополнительного питания. Как и все аналогичные контроллеры, она построена на чипе производства NEC.

Второй образец контроллера USB 3.0 имеет интерфейс ExpressCard/34, он предназначен для установки в ноутбуки. Пользователю предлагаются всё те же два порта USB 3.0, внешнее питание на этот раз подаётся через соответствующий разъём для блока питания.



По заверениям производителя, интерфейс USB 3.0 обеспечивает до 80% пропускной способности интерфейса Serial ATA. Это в значительной степени устраняет "узкие места" внешних накопителей, подключающих устройства с интерфейсом Serial ATA через порт USB. Контроллеры USB 3.0 скоро поступят в продажу, в 2011 году они пропишутся в южных мостах материнских плат, а первые дискретные контроллеры будут интегрированы на материнские платы уже этой осенью. Осталось только дождаться появления на рынке устройств с этим типом интерфейса.

Обзор накопителей больше 1 ТБ

Переходник SATA-USB 3.0 от LucidPort
29.07.2009 [19:18], Александр Будик

Компания LucidPort Technology заявила о начале поставок первого в отрасли контроллера-переходника SATA-USB 3.0. Новое устройство под названием USB300 позволяет подключать жесткие диски и SSD-накопители с интерфейсом Serial ATA к хосту USB 1.1, USB 2.0 и даже новейшему USB 3.0.



LucidPort USB300 поддерживает Native Command Queuing (NCQ), шифрование AES 128/256 и обеспечивает скорость передачи данных до 210 Мб/с при использовании драйвера Windows Mass Storage, и еще большую производительность с USB Attached SCSI драйвером.

Позже в этом году аналогичные чипы готовятся представить компании PLX, Faraday Electronics. На днях свою микросхему SATA-USB 3.0 анонсировала также Fujitsu. Справедливости ради отметим, по хронологии публикации пресс-релизов LucidPort опередила японского производителя.

Тест жёстких дисков ёмкостью 1-2 Тбайт: от экономичных до производительных

Первое знакомство с Power eSATA

http://lenta.ru/news/2009/11/16/flash/

Тест мобильных жёстких дисков от WD и Fujitsu: 640 и 500 Гбайт

Тест производительных настольных жёстких дисков от WD и Samsung: 500 Гбайт на пластину и 7200 об/мин

OCZ Colossus: твёрдотельный накопитель формата 3.5" с внутренним RAID
Lexagon / 18.11.2009 07:22 / ссылка на материал / версия для печати

Производители накопителей на базе твёрдотельной памяти выявили два наиболее эффективных метода борьбы с ограниченным быстродействием на операциях записи: это использование более производительных контроллеров и объединение компонентов накопителя во внутренний массив RAID 0.

Судя по всему, OCZ Technology готова идти обоими путями, поскольку вчера компания официально представила накопители серии Colossus, прототипы которых мы видели ещё в июне. Устройство необычно не только своим форм-фактором - 3.5" вместо более традиционного 2.5", но и внутренней организацией. Два контроллера Indilinx взаимодействуют с RAID-контроллером, который, по разным данным, выпущен jMicron или Silicon Image. Результирующий массив уровня RAID 0 и 128 Мб буфер позволяют поддерживать максимальные скорости передачи данных на операциях чтения и записи на уровне 260 Мб/с. Устоявшаяся скорость записи достигает 220 Мб/с на всех моделях, за исключением накопителя объёмом 120 Гб, который может похвастать лишь скоростью записи не более 140 Мб/с.



Накопители оснащаются интерфейсом SATA-300 и лёгким алюминиевым корпусом с размерами 146 х 102 х 25 мм, среднее время наработки на отказ достигает 1,5 миллиона часов. Накопители OCZ Colossus будут выпускаться в моделях объёмом 120 Гб, 250 Гб, 500 Гб и 1 Тб. Предоставляется трёхлетняя гарантия. Розничная стоимость старшей модели превышает $3500, а младшую можно будет найти за $450. Поскольку накопители этой серии в большей степени ориентированы на корпоративных потребителей, OCZ предлагает индивидуальную адаптацию прошивок и аппаратной конфигурации накопителей под нужды конкретного заказчика.

Первый в мире SSD ExpressCard с аппаратным шифрованием от Verbatim
Overhlopec / 20.11.2009 17:06 / ссылка на материал / версия для печати

Verbatim, известный разработчик и производитель цифровых носителей информации с сорокалетней историей, объявил о выпуске своего нового устройства SSD Secure ExpressCard, преимущества которого оценят мобильные пользователи. Напомним вам, что Verbatim уже выпускает твёрдотельные накопители с интерфейсом ExpressCard/34 объёмом в 16, 32 и 64 Гб, которые впервые были представлены на на CeBIT 2009.

Новые накопители имеют схожие характеристики, однако, новинка обязательно заинтересует определённый круг потребителей. Основное отличие от старой серии - это наличие 256-битного аппаратного шифрования данных.



Сам разработчик относит уровень шифрования уровень шифрования к премиум-классу, при этом, естественно, доступ к накопителю осуществляется после ввода пароля. Если пароль введён неверно десять раз, то вся информация с носителя будет автоматически удалена. Среди достоинств также называются прочность и ударостойкость. Устройство совместимо с операционными системами Windows XP, Vista и Windows 7. Не стоит забывать и о том, что SSD потребл@ет традиционно мало энергии и поможет ноутбуку или нетбуку дольше работать от батареи, в отличие от внешнего жёсткого диска, например. В ближайшее время доступными для заказа будут версии с 16 и 32 Гб на борту, но судя по фотографии, появится и модель с 64 Гб.

OCZ готовит к анонсу внешние SSD с интерфейсом USB 3.0
Lexagon / 21.11.2009 10:03 / ссылка на материал / версия для печати

Интерфейс SATA-600 пока не может раскрыть своих преимуществ при использовании жёстких дисков на магнитных пластинах и твёрдотельных накопителей, поскольку дисковые контроллеры пока не готовы к передаче информации на тех скоростях, которые предлагает SATA-600. Интерфейс USB 3.0 в этом смысле даёт более очевидный прирост быстродействия, поскольку ему приходится соперничать с более медленным предшественником. Заметный выигрыш в скорости передачи информации получат внешние накопители с интерфейсом USB 3.0.

Компания AMP уже объявила о намерениях выпустить в текущем квартале твёрдотельные накопители с интерфейсом USB 3.0, которые обеспечивают скорость передачи информации 240 Мб/с на операциях чтения и 160 Мб/с на операциях записи. Время копирования файла объёмом 25 Гб не превышает двух-трёх минут.



Как сообщает сайт PC Perspective, компания OCZ Technology планирует продемонстрировать на январской выставке CES 2010 твёрдотельные накопители с интерфейсом USB 3.0. Никакой информации об их характеристиках нет, публике лишь предложен компьютерный эскиз с изображением устройства. Скорее всего, примеру OCZ последуют и другие производители, поскольку внедрение USB 3.0 для внешних накопителей оправдывает себя уже сейчас.

Imation первой выпустила внешний HDD с Wireless USB
21.11.2009 [09:07], Руслан Цап

Пресс-служба компании Imation с нескрываемой гордостью объявила о выводе на рынок первого в мире внешнего винчестера, снабжённого интерфейсом Wireless USB.



Модель Imation Pro WX Wireless USB External HDD построена на базе 3,5-дюймового жёсткого диска ёмкостью 1,5 Тб и, по заявлениям разработчиков, может вместить до 300000 цифровых фотографий либо до 750 часов видео (создатели, правда, не уточняют, какого именно разрешения мультимедийный контент они имеют ввиду). Кроме того, отмечается, что интерфейс Wireless USB обеспечивает пересылку данных со скоростью 15 Мб/с на дистанции до 10 метров. Также указывается на то, что накопитель совместим с платформами PC и Mac, а также поддерживает функцию резервного копирования пользовательских данных нажатием всего одной кнопки.

Рекомендованная изготовителем цена на устройство установлена в размере $450 для рынка США.

Будущее компьютерной памяти: 5 революционных технологий
10.12.2009 [08:00], Денис Борн

Некоторое время назад сложно было поверить, что огромная коллекция музыки может поместиться на одном небольшом устройстве, едва превышающем по размерам ладонь. То же относится к тысячам снимков в высоком разрешении и карманным фотокамерам. Всего за несколько десятилетий в области технологий хранения данных произошли разительные перемены, а появление флеш-памяти без преувеличения можно назвать революцией. Но время не стоит на месте, и следующей вехой в "потребительской" хронологии должны стать чипы, которые будут способны хранить сотни фильмов в HD-качестве либо всю мировую библиотеку книг. Чтобы воплотить эти мечты в реальность, по всему миру в лабораториях совершенствуют текущие и разрабатывают новые технологии, самые удачные из которых обязательно попадут на рынок – прогресс нельзя остановить.

"Суперпамять" близка к реализации взгляда на технологии, высказанного физиком Ричардом Фейнманом (Richard Feynman) 50 лет назад. В ходе лекции для Американского физического общества (American Physical Society) он рассуждал, возможно ли будет когда-нибудь записать 24 тома энциклопедии "Британика" на булавочную головку. Физик подсчитал, что каждая крошечная точка каждой печатной буквы должна быть для этого уменьшена до 1000 атомов – квадрата со стороной 9 нм. Сегодня принцип хранения информации в электронных устройствах, конечно, отличается от условных расчётов Фейнмана, но размер единичного элемента хранения известен – около 40 нм в коммерческих устройствах на основе флеш-памяти.

Всего несколько месяцев назад начались поставки первого чипа, на который возможно записать 64 Гбит данных. Фейнман вёл речь, вероятно, о терабайтах. Технологии устройств памяти следующего поколения будут использовать новые материалы, обладать временем доступа в единицы наносекунд и хранить информацию как минимум десятки лет без перезаписи. Сложно назвать чёткие сроки, когда же на полках магазинов появится "суперфлешка", но многомиллиардные доходы полупроводниковой индустрии не дают сомневаться, что для этого предпринимаются все возможные усилия, и на звание технологий следующего поколения уже есть претенденты.

MRAM



MRAM (magnetoresistive random access memory – магниторезистивная память с произвольным доступом) является "долгожителем" семейства технологий, призванных заменить флеш – несколько компаний трудятся над ней ещё с 1990-х годов. Конструкция представляет собой два тонких слоя ферромагнитного материала, каждый разделён на ячейки. Один из слоёв является постоянным магнитом с неизменным направлением намагниченности. Намагничивание другого может изменяться на 180° путём приложения внешнего магнитного поля или напряжения. Взаимная ориентация намагниченности воспринимается как 1 или 0. Такое решение имеет свои сильные и слабые стороны. К первым принадлежит энергонезависимость, возможность быстрого и простого контроля намагниченности и соответственно скорость доступа (порядка нескольких нс), ко вторым – тенденция к изменению состояния соседних ячеек во время перезаписи одного из битов. Данная проблема является большой головной болью для исследователей. По словам физика Джеймса Скотта (James Scott) из Кэмбриджского университета (University of Cambridge), до сих пор это препятствие не устранено. Ёмкость чипов пока ограничена 32 Мбит. Такие компании, как Hitachi и Toshiba, продолжают работать над MRAM, поддерживая веру в её будущее.

FeRAM

FeRAM (ferroelectric random access memory – сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом) относительно близка к флеш-памяти. В ней также используются электрические явления для контроля за подобной транзистору структурой, но вместо потоков свободных электронов объектом управления выступают электрические заряды в комплексных кристаллах, известных как ферроэлектрики, или сегнетоэлектрики. В этих диэлектриках небольшое внешнее электрическое поле может заставить положительно и отрицательно заряженные ионы изменить свои дипольные моменты и установить стабильную электрическую поляризацию. В зависимости от её направления значение сегнетоэлектрического бита воспринимается как 1 или 0. Небольшое приложенное к кристаллу напряжение изменяет поляризацию и соответственно состояние бита. Процесс происходит очень быстро – менее наносекунды – и требует незначительной расходуемой мощности, а количество циклов записи намного превышает возможности флеш-памяти и достигает значения нескольких миллиардов.

Но FeRAM не лишена и "ахиллесовой пяты". "Проблема в том, что FeRAM основана на зарядах", - поясняет физик Райнер Васер (Rainer Waser) из Университета Аахена (RWTH Aachen University) в Германии. Чтобы изменить состояние сегнетоэлектрика с приемлемой скоростью, рядом должны храниться дополнительные заряды, поэтому каждая ячейка такой памяти содержит конденсатор, ограничивающий плотность размещения элементов. На данный момент эксперты не видят возможности для FeRAM обладать такой же ёмкостью чипа, как в микросхемах флеш-памяти. Тем не менее, низкое энергопотребление может пригодиться при решении тех задач, где экономия важнее ёмкости. В феврале 2009 года Toshiba анонсировала прототип 128-Мб чипа FeRAM.

PCRAM

PCRAM (phase-change random access memory – оперативная память с изменением фазовых состояний) технологии того же ряда, что применяются в перезаписываемых оптических дисках. Информация хранится в атомных структурах материалов, имеющих два возможных фазовых состояния: аморфное, схожее с оконным стеклом с неупорядоченными атомами, и кристаллическое. В последнем случае материал электропроводен, тогда как в аморфном состоянии это изолятор. Подобный материал в PCRAM заключён между двумя электродами, и для переключения между фазами необходим лазерный импульс или электрический ток, чтобы расплавить вещество. Длительное воздействие приводит к формированию кристаллической решётки, а при коротком импульсе материал охлаждается до аморфной фазы.



Недостаток – в необходимости передачи энергии для нагрева элементов памяти до нескольких сотен °С, на что уходит значительное количество энергии, хотя с уменьшением устройств на основе PCRAM уровень потребл@емой мощности будет снижаться. Зато плотность размещения элементов хранения очень высока: всего несколько атомов нужны для создания ячейки, способной менять состояние с кристаллического на аморфное. Специалисты считают, что реальным значением является 5 нм - почти в 10 раз меньше, чем во флеш-памяти. Более того, время переключения PCRAM может достигать 1 нс. Но с уменьшением этого параметра стабильность состояния материала также снижается, поэтому пока значение скорости переключения в 10-100 раз медленнее теоретического потенциала. Сегодняшняя задача инженеров – достижение оптимального соотношения скорости и стабильности. Samsung недавно представила чип PCRAM ёмкостью 512 Мб.

RRAM

RRAM (resistive random access memory – резистивная память с произвольным доступом) по масштабам элементов хранения битов сравнима с PCRAM. Только вместо изменения фазового состояния под действием тепла здесь используется электрохимическая реакция. Материалом для резистивной памяти выступает непроводящий оксид, такой как оксид титана. Когда к кристаллу приложено высокое напряжение, удерживающие атомы кислорода связи начинают разрушаться. Кислород оставляет за собой "дырки" и свободные электроны, способные стать носителями зарядов. "Дырки" стремятся сформировать узкие ряды, или электропроводные каналы в кристалле. Обратное напряжение возвращает кислород, снова превращая материал в диэлектрик. Такие переходы создают устойчивые состояния памяти, которые изменяются только под действием высоких значений напряжения определённой полярности.

RRAM является быстродействующей технологией с низким энергопотреблением. По словам Стэна Уильямса (Stan Williams) из лаборатории Hewlett-Packard Laboratories в Пало-Альто, Калифорния, переключение состояний происходит в считанные наносекунды, а требуемая энергия измеряется пикоджоулями. Это сотая часть от необходимого флеш-памяти количества. Масштаб битов также впечатляет – переключение может происходить на одном нанометре. Впрочем, и здесь проблема со стабильностью. Если бит с высоким сопротивлением расположен сразу за таковым с низким, тогда электрический ток может "задеть" соседний участок и изменить его состояние. Данное препятствие решают в настоящий момент Hewlett-Packard и другие компании.

RRAM примечательна не только благодаря способности хранить информацию. В 2008 году Уильямс с коллегами обнаружил, что устройство на основе резистивной памяти имеет характеристики мемристора – теоретического четвёртого основного элемента электрической цепи после резистора, конденсатора и индуктивности. Мемристор отличается от обычного резистора способностью принимать разные значения сопротивления в зависимости от заряда, который прошёл через него в прошлом. Это делает компонент моделью аналоговой вычислительной единицы человеческого мозга, но с оговоркой: работает она значительно быстрее настоящего синапса и с меньшими затратами энергии.

Трековая память (Racetrack memory)



Большинство дорог к "суперпамяти" ведут через поиск путей манипулирования атомами и их свойствами в нанометровом масштабе. Однако некоторые учёные уверены, что внимание нужно обратить на конструкцию памяти. Например, трёхмерная архитектура позволит совершить новый прорыв. В трековой памяти биты хранятся в виде крошечных доменов намагниченности, почти как в жёстких дисках. Отличие в том, что эти элементы памяти не являются монолитными блоками, а ведут себя как бусины на магнитном нанопроводнике. Электрический ток перемещает домены , проходящие через считывающие и записывающие головки. Скорость процесса достигает 200 м/с, что эквивалентно времени чтения в десятки наносекунд. Это сравнимо с сегодняшними видами памяти, но преимущество трековой заключается в ёмкости. Плоский проводник микрометрового размера способен хранить данные с не меньшей плотностью, чем флеш-память. Истинный потенциал кроется в изменении конфигурации нанопроводников с двумерной на трёхмерную, когда трековая память сможет хранить в сотни раз больше битов по сравнению с флеш-памятью на той же площади. Однако подобных прототипов ещё не существует.

Жесткие диски на 2 ТБ – теперь и с 7200 об/мин