Накопители, HDD, SSD etc.

Toshiba открывает эру 32-нм флэш-памяти
29.04.2009 [10:41], Александр Будик

Японская компания Toshiba Corporation официально заявила о намерении вскоре начать поставки микросхем флэш-памяти типа NAND MLC, выполненных по 32-нм проектным нормам. Сегодня уже доступны ознакомительные образцы 32-Гбит чипов, которые отличаются наибольшей плотностью из всех представленных на рынке решений. В июле партнеры Toshiba получат образцы 16-Гбит микросхем, выпущенных по 32-нм техпроцессу.

Напомним, в ноябре прошлого года компании Intel и Micron заявили о начале производства NAND MLC памяти по нормам 34 нм. Эти чипы выпускаются на 300-мм пластинах и обладают емкостью 32 Гбит.

Пресс-служба Toshiba отмечает, что спрос на флэш-память постоянно увеличивается благодаря расширению рынка мобильных телефонов и другого мобильного оборудования с поддержкой воспроизведения мультимедиа. Повышаются требования к емкости и компактности чипов. Toshiba надеется, что с выпуском новых 32-нм продуктов ей удастся укрепить свои позиции на рынке.

Массовое производство 32-Гбит памяти намечено на июль 2009 года. Серийный выпуск моделей емкостью 16 Гбит стартует в третьем квартале текущего финансового года, то есть в период с октября по декабрь 2009. Новинки будут производиться на заводе Yokkaichi Operations в префектуре Миэ.

Готовое новое поколение PRAM-микросхем Samsung
06.05.2009 [11:27], Александр Бакаткин

Южнокорейская компания Samsung сообщила о скором начале поставок нового поколения микросхем памяти на основе фазового перехода – PRAM. Согласно информации от разработчиков, первые партии устройств отгрузят клиентам уже в июне 2009 года, причем ими станут решения информационной емкостью 512 Мб.

Главным достоинством памяти на основе фазового перехода является высокая скорость при произвольном чтении данных и энергонезависимость, позволяющая хранить записанную информацию без подвода энергии. Таким образом, память типа PRAM объединяет в себе сильные стороны оперативной памяти и флэш-памяти – согласно официальным сведениям, новые микросхемы могут увеличить скоростные возможности подсистемы памяти в тридцать раз. По сравнению с комбинацией современной «оперативки» и энергонезависимых накопителей.



В основе технологии Samsung лежит применение такого материала, как халькогенидное стекло. Материал способен за очень короткий промежуток времени изменять свое фазовое состояние из кристаллического в аморфное, и наоборот. Именно за счет этого и достигается высокая скорость передачи информации. Материал также способен в течение значительного времени сохранять свое фазовое состояние, что позволяет реализовать энергонезависимость памяти.

Пока Samsung не разглашает информацию относительно потенциальных клиентов, которым будет осуществляться поставка первых PRAM-микросхем. Не называется и основная область применения устройств, впрочем, их характеристики и компактные размеры позволяют предположить, что они найдут свое признание в мобильной электронике, выполняя одновременно роль оперативной памяти и основного накопителя.

Экономия в 167 ГВт-часов благодаря SSD
07.05.2009 [14:11], Александр Будик

По подсчетам аналитиков компании iSuppli, использование SSD-дисков на базе флэш-памяти вместо традиционных накопителей на жёстких магнитных дисках позволит владельцам ЦОДов сэкономить около 166,6 гигаватт-часов энергии в период с 2008 по 2013 год. Это больше суммарной электроэнергии, выработанной африканской страной Гамбия за весь 2006 год.

В прошлом году суммарная экономия электроэнергии за счет использования SSD-дисков в ЦОДах составила почти 7 гигаватт-часов, утверждает iSuppli. Отмечается тенденция к увеличению масштабов экономии благодаря дальнейшему распространению флэш-накопителей. Уже в 2013 году экономия может достигнуть 57,6 гигаватт-часов.

Флэш-диски пока всё ещё дороже винчестеров в расчете на гигабайт, но их преимуществом является меньшая потребл@емая мощность. Для некоторых приложений этот показатель имеет чуть ли не первостепенное значение. По мнению главного аналитика рынка систем хранения данных компании iSuppli, SSD могут заменить около 10% высокоскоростных винчестеров класса High-End, используемых в ЦОДах.

Samsung выпустила 32-Гб память "30-нм класса"
13.05.2009 [10:44], Александр Будик

В ответ на анонс компанией Toshiba 32-нм флэш-микросхем южнокорейский производитель Samsung Electronics гордо заявил о начале поставок 32-Гб карт памяти moviNAND, которые являются лидерами по плотности в отрасли благодаря применению чипов, выпущенных по 30-нм техпроцессу. Новинки ориентированы на использование в телефонах высокого класса и другой мобильной потребительской технике.

По утверждению Samsung, это первые в отрасли 32-Гб устройства, использующие 30-нм NAND-микросхемы. Новинки вдвое превосходят по плотности карты памяти предыдущего поколения, которые используют 40-нм чипы. Новые устройства moviNAND включают восемь 32-Гбит 30-нм чипов и контроллер MMC. Помимо 32-Гб моделей, доступны также карты “30-нм класса” емкостью 4, 8 и 16 Гб.

Отметим, многие отраслевые аналитики оптимистично смотрят на перспективы карт памяти высокой емкости. Согласно прогнозу iSuppli, ожидается существенное увеличение объемов поставок NAND-чипов, используемых в картах памяти емкостью 32 Гб и выше. В период с 2009 по 2013 год отгрузки таких устройств увеличатся примерно в 8 раз.

MSI оснащает свои материнские платы портом eSATA с подачей питания
Lexagon / 14.05.2009 08:17 / ссылка на материал / версия для печати

Интерфейс eSATA представлял собой хорошую задумку, поскольку позволял подключать к материнской плате устройства с интерфейсом Serial ATA без необходимости забираться внутрь корпуса системного блока. Проблема заключалась в том, что внешние устройства с интерфейсом eSATA всё равно требовали дополнительного питания, которое обычно обеспечивалось портом USB и соответствующим кабелем, либо специальным блоком питания.

Компания MSI начала оснащать свои материнские платы портом Power eSATA, который уже получает питание от шины USB. В результате отпадает необходимость использования дополнительного кабеля и поиска свободного порта USB.





Удобства такой схемы очевидны: внешнему устройству с интерфейсом eSATA специальные кабели теперь не нужны, не говоря уже о внешних блоках питания.

Порт Power eSATA можно обнаружить на материнской плате MSI 790FX-GD70, поддерживающей процессоры AMD в исполнении Socket AM3.



Это сообщение отредактировал GeoHat - 14.05.2009 - 11:35

NEC анонсирует дискретный контроллер USB 3.0
Lexagon / 19.05.2009 11:17 / ссылка на материал / версия для печати

Судя по имеющейся у нас информации, компания AMD может претендовать на пионера освоения интерфейса USB 3.0, поскольку она первой внедрит поддержку этого стандарта в свои южные мосты. Между тем, поддержку USB 3.0 можно реализовать и силами дискретного контроллера, в этом случае зависимость от платформы исчезает.

Компания NEC Electronics представила один из первых контроллеров USB 3.0, поддерживающий два порта USB и взаимодействующий с системой по интерфейсу PCI Express x1 версии 2.0. Контроллер может применяться в ноутбуках, настольных компьютерах, серверах и док-станциях различных периферийных устройств.



Теоретически, USB 3.0 позволяет передавать информацию со скоростью до 5 Гбит/с, в десять раз быстрее интерфейса USB 2.0. Например, видеофайл объёмом 25 Гб по интерфейсу USB 3.0 передаётся за 70 секунд, тогда как USB 2.0 требует для аналогичной операции около 14 минут.



Контроллер и порт USB 3.0 обратно совместимы с интерфейсами USB 2.0, 1.1 и 1.0. К сентябрю этого года NEC рассчитывает довести месячный объём производства контроллеров USB 3.0 до миллиона штук. Стоимость одного чипа равна $15, в комплекте прилагаются драйверы для среды Windows. Первые партии контроллеров появятся в продаже в июне этого года.

JEDEC стандартизует спецификации твёрдотельных накопителей форм-фактора 1.8"
Lexagon / 20.05.2009 03:34 / ссылка на материал / версия для печати

Компания Seagate, ещё не выпускающая собственные SSD, но тщательно готовящаяся к выходу на этот сегмент рынка, летом прошлого года возглавила профильный комитет JEDEC, который должен был разрабатывать единые стандарты для твёрдотельных накопителей.

Как сообщает официальный пресс-релиз на сайте JEDEC, этот комитет обнародовал первые единые рекомендации по компоновке SSD типоразмера 1.8", применяемых в нетбуках и мобильных компьютерах. Документ получил обозначение MO-297, он описывает компоновку твёрдотельных накопителей с линейными размерами в плане 54 х 39 мм, оснащённых интерфейсом Serial ATA.

Выпускаемые по этим спецификациям SSD типоразмера 1.8" будут обладать взаимозаменяемостью, что важно как для производителей компьютеров, так и для рядовых потребителей. Это первый документ, определяющий стандартную компоновку твёрдотельного накопителя. Судя по всему, аналогичные стандарты будут разработаны и для накопителей типоразмера 2.5".

Unity представила энергонезависимую память нового типа
21.05.2009 [12:12], Александр Харьковский

После семи лет, потраченных на исследования и разработки, компания Unity Semiconductor представила новую технологию энергонезависимой памяти, получившую название CMOx. В данном случае для построения ячеек используются определенные металлические оксиды, обладающие способностью к пропусканию ионов. Эффект запоминания основан на изменении проводящих свойств, однако CMOx является совершенно самостоятельным типом памяти, а не разновидностью RRAM. В отличие от остальных технологий энергонезависимых запоминающих устройств, CMOx не предусматривает использование транзисторов в составе ячейки. Unity разрабатывала 64 Кбит чип в течение двух лет, еще год ушел на подготовку 64 Мбит модели, а теперь компания сообщила, что близка к этапу передачи в производство 64 Гбит микросхем, с тем, чтобы во второй половине 2010 г. начать их пилотный выпуск, а во втором квартале 2011 г. приступить к массовому.



Согласно стратегическому плану Unity, изначально CMOx выйдет на рынок в качестве более производительной альтернативы NAND-памяти в сегменте ресурсоемких приложений. В дальнейшем планируется повсеместное распространение, включая твердотельные накопители самых различных классов и память для разнообразных портативных устройств. Согласно заявлениям разработчиков, предложенная ими технология отличается целым рядом достоинств по сравнению с NAND-флэш памятью, включая в 4 раза более высокую плотность компоновки, в 5-10 раз более высокую скорость записи и возможность масштабирования для менее чем 20 нм техпроцессов. CMOx выигрывает в эффективности энергопотребления – для записи здесь достаточно тока менее чем 1 мкА, и, наконец, себестоимость этого типа памяти ниже, чем NAND.

Gigabyte демонстрирует плату с поддержкой SATA-600
Lexagon / 27.05.2009 08:06 / ссылка на материал / версия для печати

Пионерами освоения дискового интерфейса SATA-600 должны были стать AMD и Seagate: первая пообещала представить южный мост SB850 с поддержкой шести портов SATA-600 в четвёртом квартале этого года, а компания Seagate заявила о готовности представить классические жёсткие диски на магнитных пластинах с интерфейсом SATA-600 до конца текущего года.

Проблема заключалась в том, что платформа Intel поддержку SATA-600 в обозримом будущем обеспечивать не собиралась. Как поясняет сайт TweakTown, производителей материнских плат этот факт ничуть не смущает. Они готовы использовать на собственных платах дискретный контроллер производства Marvell, который обеспечивает поддержку четырёх портов SATA-600, шести портов SATA-300, дисковых массивов RAID 0/1 и так называемого мультипликатора портов.



Примером могут служить материнские платы Gigabyte на базе чипсета Intel P55, которые компания продемонстрирует на июньской выставке Computex 2009. Более того, обновлённая материнская плата GA-EX58A-Extreme на базе чипсета Intel X58 тоже получит поддержку SATA-600. Таким образом, к моменту выхода винчестеров с этим интерфейсом на рынке может оказаться достаточно совместимых материнских плат.

Опубликованы спецификации Serial ATA ревизии 3.0
Lexagon / 28.05.2009 08:18

Компания Gigabyte собирается продемонстрировать на выставке Computex 2009 материнские платы с портами SATA-600, обеспечивающими передачу данных со скоростью до 6 Гбит/с. Сертификационный орган SATA-IO вчера заявил о готовности спецификаций Serial ATA ревизии 3.0, описывающих интерфейс Serial ATA третьего поколения, позволяющий передавать данные со скоростью 6 Гбит/с - в два раза быстрее предшественника.

Для работы с накопителями, поддерживающими SATA-600, можно будет использовать существующие кабели Serial ATA. В новой спецификации добавились разъёмы для устройств типоразмера 1.8" и разъёмы для подключения оптических приводов ноутбуков, имеющих высоту не более 7 мм.

Новый стандарт также приносит улучшения на уровне энергопотребления и дополнительные команды NCQ, оптимизирующие работу с потоковым звуком и видео. В прошлом году на долю Serial ATA пришлось 98% всех поставляемых накопителей для персональных компьютеров. Компания Seagate обещала представить устройства с поддержкой SATA-600 до конца текущего года, на уровне южных мостов её поддержит компания AMD. Производители материнских плат также могут использовать дискретные контроллеры с поддержкой SATA-600.

Анонс ExpressCard 2.0: 10х прирост скорости
10.06.2009 [12:44], Василий Саков

Индустриальная торговая ассоциация PCMCIA, курирующая разработку интерфейсов PC Card и ExpressCard, объявила о выпуске финальной версии спецификаций нового стандарта ExpressCard 2.0.



Основанием для разработки и принятия новой версии интерфейса послужила потребность современных систем в более быстрых скоростях обмена данными, а также в необходимости поддержки новоявленных за последнее время технологий. Так, новая 2.0 версия стандарта ExpressCard декларирует поддержку скоростей в 10 раз больших нежели предыдущая версия ExpressCard 1.2 – разумеется, в зависимости от применяемого протокола обмена данными. Усовершенствования стандарта в первую очередь имеют отношение к увеличения производительности eSATA адаптеров для внешних жёстких дисков, высоко производительных адаптеров для работы с потоковым аудио/видео, быстрыми модулями вроде твердотельных жёстких дисков (SSD) и адаптерами USB нового поколения USB 3.0.

Стандарт ExpressCard версии 2.0 полностью поддерживает новейшие версии спецификаций PCI Express и SuperSpeed USB (USB 3.0), обеспечивая скорость обмена данными до 5 Гбит/с. Разумеется, стандарт ExpressCard 2.0 обратно совместим с более ранними версиями.

Напомним, что в настоящее время выпускается широкий список plug-n-play устройств с интерфейсом ExpressCard, включая флэш-карты, Wi-Fi, 3G, USB, Firewire (1394A и -B ) и SATA адаптеры, TV-тюнеры, считыватели смарт-карт, а слоты ExpressCard и PC Card присуствуют в конструкции порядка 95% ноутбуков. Стандарт ExpressCard поддерживается и активно разрабатывается при участии компаний AMD, Fujitsu Siemens, Intel, Lenovo, Lexar Media, LG Electronics, Microsoft, Qualcomm, SanDisk, Sony, Texas Instruments, Toshiba и др.

По словам представителей PCMCIA, первые устройства с интерфейсом ExpressCard 2.0 появятся на рынке ближе к 2011 году.



Это сообщение отредактировал GeoHat - 24.06.2009 - 15:04

128 Гб "флэшка" Kingston DataTraveler 200
16.06.2009 [15:00], Илья Кузьмин

Компания Kingston анонсировала самый вместительный в мире USB флэш-накопитель емкостью 128 Гб. Новинка будет выпущена в рамках линейки DataTraveler 200 вместе с 32 и 64 Гб моделями.



Накопители выполнены в форм-факторе «без крышки» (ее заменяет передвижная защитная оболочка), поддерживают технологию Windows ReadyBoost и защиту данных паролем.

Рекомендованная цена на 32 и 64 Гб накопители составляет 120 и 213 долларов США соответственно. Новаторская 128 Гб модель изготавливается исключительно по заказу, что обойдется покупателю в 546 долларов.

Samsung представила 32-Гб DDR3-модули
18.06.2009 [20:24], Александр Будик

Южнокорейская компания Samsung Electronics с гордостью заявила о разработке первых в мире модулей DDR3-памяти ёмкостью 32 Гб, которые ориентированы на использование в серверных системах. Новые устройства функционируют при напряжении питания всего 1,35 В, что позволяет повысить энергоэффективность подсистемы памяти компьютеров.

Новые модули Samsung спроектированы на базе 4-гигабитных DDR3-микросхем, выполненных по передовому 50-нм технологическому процессу. Разработка маломощных 4-Гбит DDR3-чипов Samsung видит как критически важное направление в стремлении увеличить операционную эффективность дата-центров при одновременном увеличении плотности памяти. Как отмечает производитель, новые модули памяти позволяют не только экономить на электроэнергии, но и использовать менее мощные (и соответственно более дешевые) блоки питания и уменьшить затраты на организацию охлаждения.

32-Гб память выполнена в виде двухсторонних модулей RDIMM, которые включают 72 4-Гбит кристалла. На каждой из сторон печатной платы смонтирован ряд из девяти четырёхкристальных упаковок (QDP, quad-die package), каждая из которых обладает емкостью 16 Гбит.

Согласно исследовательской организации IDC, в 2009 году доля DDR3 DRAM продукции на мировом рынке DRAM-микросхем достигнет 29%. В 2011 году этот показатель будет насчитывать уже 75%.

Fusion-IO разработала быструю память типа MLC для SSD
Lexagon / 08.07.2009 11:32 / ссылка на материал / версия для печати

Серийные твёрдотельные накопители в настоящее время используют микросхемы памяти двух типов: MLC и SLC. Если первый тип пользуется популярностью за счёт своей относительной дешевизны, то второй отличается более высокими быстродействием и ценой, а также имеет больший физический ресурс. Если микросхема MLC способна выдержать десятки тысяч циклов записи, то для SLC этот показатель в десять раз больше. Кроме того, SLC обеспечивает почти двукратное преимущество в скоростях записи.

Компания Fusion-IO сообщает, что ей удалось найти способ работы с памятью типа MLC, позволяющий приблизить её по быстродействию и долговечности к памяти типа SLC. Технология получила название SMLC (Single Mode Level Cell). Продукты с её использованием обладают быстродействием и надёжностью, сопоставимыми с решениями на базе SLC-памяти, но по стоимости они близки к продуктам на базе MLC-памяти.

В этом квартале Fusion-IO начнёт поставлять накопители серии ioDrive и ioDrive Duo объёмом 160 Гб and 320 Гб, использующие технологию SMLC. Они будут ориентированы на серверный и корпоративный рынок, связь с материнской платой будет осуществляться через разъём PCI Express.

Представлены мосты Serial ATA -> USB 3.0
Lexagon / 27.07.2009 08:38 / ссылка на материал / версия для печати

Стоило нам обсудить перспективы соперничества Serial ATA и USB 3.0 в сегменте внешних накопителей, как на сайте EE Times появилось сообщение об анонсе компаниями Fujitsu и LucidPort Technology мостов, позволяющих подключать устройства с интерфейсом Serial ATA к портам USB 3.0. Данные чипы найдут применение при создании внешних накопителей и флэшек.

Компании Faraday Electronics и PLX Technologies собираются представить аналогичные чипы в ближайшем будущем. Изделия Fujitsu и LucidPort демонстрируют скорость передачи данных на уровне 200-210 Мб/с при использовании стандартных драйверов. Контроллер Fujitsu использует раздельные блоки для работы с USB 2.0 и USB 3.0, его массовое производство начнётся в сентябре. Сейчас стоимость одного образца равна $10. Производитель ожидает, что этот чип появится в цифровых камерах и мобильных телефонах. Похоже, инфраструктура USB 3.0 созревает практически синхронными темпами, это не может не радовать.